0.12 μm transferred-substrate In/sub ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
0.12 μm transferred-substrate In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As/In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As HEMTs on silicon wafer
Auteur(s) :
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
lepilliet, sl [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Jalaguier, E. [Auteur]
Pocas, S. [Auteur]
Aspar, B. [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
lepilliet, sl [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Jalaguier, E. [Auteur]
Pocas, S. [Auteur]
Aspar, B. [Auteur]
Titre de la revue :
IEEE Electron Device Letters
Pagination :
73-75
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2002-02
ISSN :
0741-3106
Mot(s)-clé(s) en anglais :
HEMTs
MODFETs
Indium compounds
Indium phosphide
Silicon
Indium gallium arsenide
Substrates
Cutoff frequency
Electron mobility
Schottky barriers
MODFETs
Indium compounds
Indium phosphide
Silicon
Indium gallium arsenide
Substrates
Cutoff frequency
Electron mobility
Schottky barriers
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
New In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As/In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As transferred-substrate high electron mobility transistors (TS-HEMTs) have been successfully fabricated on 2-in Silicon substrate with 0.12 μm T-shaped gate length. ...
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Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :