Sub 0.1 µm – InP based HEMTs for high power and high frequency

Document type :

Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes

Title :

Author(s) :

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]

Conference title :

Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2003

City :

Atlanta, GA

Country :

Etats-Unis d'Amérique

Start date of the conference :

2003

Publication date :

2003

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

Source :

Sub 0.1 µm – InP based HEMTs for high power ... BibTeX CSV Excel RIS