Sub 0.1 µm – InP based HEMTs for high power ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Sub 0.1 µm – InP based HEMTs for high power and high frequency
Author(s) :
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
dessenne, François [Auteur]
Fauquembergue, R. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]

Zaknoune, Mohammed [Auteur]

Wallart, Xavier [Auteur]

dessenne, François [Auteur]

Fauquembergue, R. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]

Conference title :
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2003
City :
Atlanta, GA
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2003
Publication date :
2003
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :