Thermal characterisation of AlGaN/GaN HEMTs ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Thermal characterisation of AlGaN/GaN HEMTs using micro-Raman scatering spectroscopy and pulsed I-V measurements
Auteur(s) :
Aubry, Raphaël [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Jacquet, Jean-Claude [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab]
Dua, Charu [Auteur]
Gerard, H. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dessertenne, B. [Auteur]
Thomson-CSF Laboratoire Central de Recherches [THOMSON-CSF LCR]
Di Forte-Poisson, Marie-Antoinette [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Cordier, Yvon [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delage, Sylvain Laurent [Auteur]
THALES [France]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Jacquet, Jean-Claude [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab]
Dua, Charu [Auteur]
Gerard, H. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dessertenne, B. [Auteur]
Thomson-CSF Laboratoire Central de Recherches [THOMSON-CSF LCR]
Di Forte-Poisson, Marie-Antoinette [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Cordier, Yvon [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delage, Sylvain Laurent [Auteur]
THALES [France]
Titre de la manifestation scientifique :
International Conference on Silicon Carbide and Related Materials; ICSCRM2003
Ville :
Lyon
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2003-10-05
Titre de l’ouvrage :
Procedings of the 10th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
Éditeur :
Trans Tech Publications Inc., Zurich, Switzerland
Date de publication :
2003
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :