Title :

Low frequency drain noise comparison of AlGaN/GaN HEMTs grown on silicon, SiC and sapphire substrates

Author(s) :

Curutchet, A. [Auteur]
Malbert, N. [Auteur]
Touboul, N. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Minko, A. [Auteur]
Uren, M. [Auteur]

Journal title :

Microelectronics Reliability

Pages :

1713-1718

Publisher :

Elsevier

Publication date :

2003

ISSN :

0026-2714

Language :

Anglais

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL