Compensation mechanisms in low-temperature-grown ...
Document type :
Article dans une revue scientifique
DOI :
Title :
Compensation mechanisms in low-temperature-grown Ga1-xMnxAs investigated by scanning tunneling spectroscopy
Author(s) :
Mahieu, Gauthier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandidier, B. [Auteur]
Nys, Jean-Philippe [Auteur]
Allan, Guy [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stiévenard, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ebert, Philipp [Auteur]
Higo, Yuji [Auteur]
Tanaka, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandidier, B. [Auteur]
Nys, Jean-Philippe [Auteur]
Allan, Guy [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stiévenard, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ebert, Philipp [Auteur]
Higo, Yuji [Auteur]
Tanaka, M. [Auteur]
Journal title :
Applied Physics Letters
Pages :
712-714
Publisher :
American Institute of Physics
Publication date :
2003
ISSN :
0003-6951
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :