Titre :

Relation between thermal evolution of interstitial defects and transient enhanced diffusion in silicon

Auteur(s) :

Claverie, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cristiano, Fuccio [Auteur]
Colombeau, B. [Auteur]
Hebras, Xavier [Auteur]
Calvo, P. [Auteur]
Cherkashin, Nikolay [Auteur]
Lamrani, Y. [Auteur]
Scheid, E. [Auteur]
de Mauduit, B. [Auteur]

Date de début de la manifestation scientifique :

2003

Titre de l’ouvrage :

Proceedings of the 203rd Meeting of the Electro Chemical Society, Advanced Short-time Thermal Processing for Si-based CMOS Devices

Éditeur :

The Electrochemical Society Inc, Pennington, NJ, USA

Date de publication :

2003

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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