Electron microscopy analysis of MOSFET structures
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Electron microscopy analysis of MOSFET structures
Auteur(s) :
Katcki, J. [Auteur]
Ratajczak, J. [Auteur]
Laszcz, A. [Auteur]
Phillipp, F. [Auteur]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Larrieu, Guilhem [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Baie, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Tang, Xiaohui [Auteur]
University College of London [London] [UCL]
Ratajczak, J. [Auteur]
Laszcz, A. [Auteur]
Phillipp, F. [Auteur]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Larrieu, Guilhem [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Baie, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Tang, Xiaohui [Auteur]
University College of London [London] [UCL]
Titre de la manifestation scientifique :
IEEE 6th Symposium Diagnostics and Yield 2003
Ville :
Warsaw
Pays :
Pologne
Date de début de la manifestation scientifique :
2003-06-22
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 6th Symposium Diagnostics & Yield : Advanced Silicon Devices and Technologies for ULSI Era, D&Y 2003
Éditeur :
Institute of Microelectronics & Optoelectronics, Warsaw University of Technology, Poland
Date de publication :
2003
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :