RF noise and power performances of AlGaN/GaN ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
RF noise and power performances of AlGaN/GaN on Si(111) substrates
Auteur(s) :
Minko, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Cordier, Y. [Auteur]
Semond, F. [Auteur]
Natali, F. [Auteur]
Massies, J. [Auteur]
Lahreche, H. [Auteur]
Wedzikowski, L. [Auteur]
Langer, R. [Auteur]
Bove, P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Cordier, Y. [Auteur]
Semond, F. [Auteur]
Natali, F. [Auteur]
Massies, J. [Auteur]
Lahreche, H. [Auteur]
Wedzikowski, L. [Auteur]
Langer, R. [Auteur]
Bove, P. [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2004
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 12th European Gallium Arsenide and Other Semiconductor Application Symposium, GAAS 2004
Éditeur :
Horizon House Publications Ltd, London. UK
Date de publication :
2004
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :