Titre :

1/f noise and ballistic mobility in GaN/AlGaN heterostructure field effect transistors in high magnetic fields

Auteur(s) :

Rumyantsev, S.L. [Auteur]
Shur, M. [Auteur]
Knap, W. [Auteur]
Dyakonova, N. [Auteur]
Pascal, F. [Auteur]
Hoffman, A. [Auteur]
Guhel, Y. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]

Date de début de la manifestation scientifique :

2004

Titre de l’ouvrage :

Proceedings of the SPIE - International Society for Optical Engineering, 5470

Éditeur :

SPIE – The International Society for Optical Engineering, Bellingham, WA, USA

Date de publication :

2004

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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