Contribution à l'optimisation de transistors ...
Type de document :
Partie d'ouvrage
Titre :
Contribution à l'optimisation de transistors à effet de champ MESFET à base de carbure de silicium 4 H pour applications en amplification de puissance RF/hyperfréquence
Auteur(s) :
Kerlain, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Date de publication :
2004
Langue :
Français
Audience :
Non spécifiée
Source :