Titre :

High microwave and noise performance of 0.17µm AlGaN/GaN HEMTs on high-resistivity silicon substrates

Auteur(s) :

Minko, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
lepilliet, sl [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Cordier, Y. [Auteur]
Semond, F. [Auteur]
Natali, F. [Auteur]
Massies, J. [Auteur]

Titre de la revue :

IEEE Electron Device Letters

Pagination :

167-169

Éditeur :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Date de publication :

2004

ISSN :

0741-3106

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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