Semiconducting surface reconstruction of ...

Document type :
Article dans une revue scientifique
DOI :
10.1103/PhysRevLett.92.216101
Title :
Semiconducting surface reconstruction of p-type Si(100) substrates at 5K
Author(s) :
Perdigao, Luis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandidier, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dubois, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delerue, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Allan, Guy [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stiévenard, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Physical Review Letters
Pages :
216101/1-4
Publisher :
American Physical Society
Publication date :
2004
ISSN :
0031-9007
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
We report scanning tunneling microscopy (STM) studies of the technologically important Si(100) surface that reveal at 5 K the coexistence of stable surface domains consisting of the p(2 x 1) reconstruction along with the ...
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Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL