Atomistic simulation of solid phase epitaxy ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Atomistic simulation of solid phase epitaxy of amorphous silicon : influence of the interatomic potential on the recristallisation velocity
Author(s) :
Krzeminski, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cuny, V. [Auteur]
Lecat, E. [Auteur]
Lampin, E. [Auteur]
Pakfar, A. [Auteur]
Tavernier, C. [Auteur]
Jaouen, H. [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cuny, V. [Auteur]
Lecat, E. [Auteur]
Lampin, E. [Auteur]
Pakfar, A. [Auteur]
Tavernier, C. [Auteur]
Jaouen, H. [Auteur]
Conference title :
Materials Research Society Spring Meeting, MRS Spring 2006, Sub-Second Rapid Thermal Processing for Device Fabrication
City :
Moscone West, San-Franscico, CA
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2006
Publication date :
2006
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :