Titre :

TEM study of PtSi contact layers for accumulated low Schottky barrier MOSFET

Auteur(s) :

Łaszcz, A. [Auteur]
Katcki, J. [Auteur]
Ratajczak, J. [Auteur]
Czerwinski, A. [Auteur]
Breil, N. [Auteur]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Larrieu, G. [Auteur]

Date de début de la manifestation scientifique :

2006

Titre de l’ouvrage :

Proceedings of the 2006 European Material Research Society Spring Meeting, E-MRS - IUMRS - ICEM 06, Si-based Materials for Advanced Microelectronic Devices : Synthesis, Defects and Diffusion

Éditeur :

European Material Research Society, Strasbourg, France

Date de publication :

2006

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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