Etudes théoriques et expérimentales de ...
Type de document :
Partie d'ouvrage
Titre :
Etudes théoriques et expérimentales de transistors HEMT's de la filière nitrure de gallium pour les applications de puissance hyperfréquences
Auteur(s) :
Werquin, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Date de publication :
2005
Langue :
Français
Audience :
Non spécifiée
Source :