Simulation, caractérisation et optimisation ...
Type de document :
Partie d'ouvrage
Titre :
Simulation, caractérisation et optimisation de transistor LDMOS sur SOI en technologie BCD – Bipolaire-CMOS-DMOS
Auteur(s) :
Xu, H. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Date de publication :
2005
Langue :
Français
Audience :
Non spécifiée
Source :