Noise modeling and performance of SOI MOSFETs
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Noise modeling and performance of SOI MOSFETs
Auteur(s) :
Danneville, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pailloncy, G. [Auteur]
Iniguez, B. [Auteur]
Raskin, J.P. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pailloncy, G. [Auteur]
Iniguez, B. [Auteur]
Raskin, J.P. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
IEEE MTT-S International Microwave Symposium, Workshop on High Frequency Noise in Advanced Silicon-based Devices : From Basics to State-of-the-Art Device and Circuit Performances
Ville :
Fort Worth, TX
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2004
Date de publication :
2004
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :