Noise modeling and performance in 0.15 µm ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Noise modeling and performance in 0.15 µm fully depleted SOI MOSFET
Auteur(s) :
Pailloncy, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Iniguez, B. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur] refId
Dehan, M. [Auteur]
Raskin, J.P. [Auteur]
Matsuhashi, H. [Auteur]
Delatte, P. [Auteur]
Danneville, François [Auteur] refId
Date de début de la manifestation scientifique :
2004
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the SPIE - International Society for Optical Engineering, 5470
Éditeur :
SPIE – The International Society for Optical Engineering, Bellingham, WA, USA
Date de publication :
2004
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL