• English
    • français
  • Help
  •  | 
  • Contact
  •  | 
  • About
  •  | 
  • Login
  • HAL portal
  •  | 
  • Pages Pro
  • EN
  •  / 
  • FR
View Item 
  •   LillOA Home
  • Liste des unités
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
  • View Item
  •   LillOA Home
  • Liste des unités
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
  • View Item
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Noise modeling and performance in 0.15 µm ...
  • BibTeX
  • CSV
  • Excel
  • RIS

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Noise modeling and performance in 0.15 µm fully depleted SOI MOSFET
Author(s) :
Pailloncy, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Iniguez, B. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur] refId
Dehan, M. [Auteur]
Raskin, J.P. [Auteur]
Matsuhashi, H. [Auteur]
Delatte, P. [Auteur]
Danneville, Francois [Auteur]
Start date of the conference :
2004
Book title :
Proceedings of the SPIE - International Society for Optical Engineering, 5470
Publisher :
SPIE – The International Society for Optical Engineering, Bellingham, WA, USA
Publication date :
2004
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
Université de Lille

Mentions légales
Université de Lille © 2017