Ballistic devices based on T-branch junctions ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Ballistic devices based on T-branch junctions and Y-branch junctions on GaInAs/AlInAs heterostructure
Auteur(s) :
Galloo, J.S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Pichonat, Emmanuelle [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Mateos, J. [Auteur]
Gonzales, T. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Pichonat, Emmanuelle [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Mateos, J. [Auteur]
Gonzales, T. [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2004
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 12th European Gallium Arsenide and Other Semiconductor Application Symposium, GAAS 2004
Éditeur :
Horizon House Publications, London, UK
Date de publication :
2004
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :