Porous silicon modelled as idealised quantum dots

Type de document :
Partie d'ouvrage
Titre :
Porous silicon modelled as idealised quantum dots
Auteur(s) :
Delerue, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lannoo, Michel [Auteur]
Allan, Guy [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Éditeur(s) ou directeur(s) scientifique(s) :
CANHAM L.
Titre de l’ouvrage :
Properties of porous silicon
Éditeur :
The Institution of Electrical Engineers, London, UK
Date de publication :
1997
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Commentaire :
EMIS Datareviews Series n°18
Collections :
Source :
Harvested from HAL