Porous silicon modelled as idealised quantum dots
Document type :
Partie d'ouvrage
Title :
Porous silicon modelled as idealised quantum dots
Author(s) :
Delerue, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lannoo, Michel [Auteur]
Allan, Guy [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lannoo, Michel [Auteur]
Allan, Guy [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Scientific editor(s) :
CANHAM L.
Book title :
Properties of porous silicon
Publisher :
The Institution of Electrical Engineers, London, UK
Publication date :
1997
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Comment :
EMIS Datareviews Series n°18
Source :