Title :

Carbon nanotube field-effect transistor for GHz operation

Author(s) :

Bethoux, Jean-Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Borghetti, Jean-Sébastien [Auteur]
Laboratoire d'Electronique Moléculaire [LEM]
Derycke, Vincent [Auteur]
Laboratoire d'Electronique Moléculaire [LEM]
Goffman, M. F. [Auteur]
Laboratoire d'Electronique Moléculaire [LEM]
Bourgoin, Jean-Philippe [Auteur]
Laboratoire d'Electronique Moléculaire [LEM]

Conference title :

European Solid-State Device Research Conference

City :

Montreux

Country :

Suisse

Start date of the conference :

2006-09-19

Book title :

Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2006

Publisher :

IEEE, Piscataway, NJ, USA

Publication date :

2006

English keyword(s) :

CNTFETs
Carbon nanotubes
Gold
Frequency
Hafnium
Impedance
Aluminum oxide
Oxidation
Self-assembly
Coplanar transmission lines

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

English abstract : [en]

The paper reports high frequency (HF) performance of carbon nanotube field-effect transistors (CNT-FETs) with S-parameters measurements. The optimized device structure achieves current gain cut-off frequency F T of 1 GHz, ...
Show more >The paper reports high frequency (HF) performance of carbon nanotube field-effect transistors (CNT-FETs) with S-parameters measurements. The optimized device structure achieves current gain cut-off frequency F T of 1 GHz, with a slope of -20dB/decade, for the first timeShow less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL