Carbon nanotube field-effect transistor ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/ESSDER.2006.307674
Title :
Carbon nanotube field-effect transistor for GHz operation
Author(s) :
Bethoux, Jean-Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dambrine, Gilles [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Borghetti, Jean-Sébastien [Auteur]
Laboratoire d'Electronique Moléculaire [LEM]
Derycke, Vincent [Auteur]
Laboratoire d'Electronique Moléculaire [LEM]
Goffman, M. F. [Auteur]
Laboratoire d'Electronique Moléculaire [LEM]
Bourgoin, Jean-Philippe [Auteur]
Laboratoire d'Electronique Moléculaire [LEM]
Conference title :
European Solid-State Device Research Conference
City :
Montreux
Country :
Suisse
Start date of the conference :
2006-09-19
Book title :
Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2006
Publisher :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Publication date :
2006
English keyword(s) :
CNTFETs
Carbon nanotubes
Gold
Frequency
Hafnium
Impedance
Aluminum oxide
Oxidation
Self-assembly
Coplanar transmission lines
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
The paper reports high frequency (HF) performance of carbon nanotube field-effect transistors (CNT-FETs) with S-parameters measurements. The optimized device structure achieves current gain cut-off frequency F T of 1 GHz, ...
Show more >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL