Dynamic response of carbon nanotube ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Dynamic response of carbon nanotube field-effect transistors analyzed by S-parameters measurement
Auteur(s) :
Bethoux, Jean-Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Derycke, Vincent [Auteur]
Laboratoire d'Electronique Moléculaire [LEM]
Goffman, M. F. [Auteur]
Laboratoire d'Electronique Moléculaire [LEM]
Bourgoin, Jean-Philippe [Auteur]
Laboratoire d'Electronique Moléculaire [LEM]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Derycke, Vincent [Auteur]
Laboratoire d'Electronique Moléculaire [LEM]
Goffman, M. F. [Auteur]
Laboratoire d'Electronique Moléculaire [LEM]
Bourgoin, Jean-Philippe [Auteur]
Laboratoire d'Electronique Moléculaire [LEM]
Titre de la revue :
Materials Science and Engineering: B
Pagination :
294-296
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2006-12-15
ISSN :
0921-5107
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Carbon nanotube field-effect transistor (CN-FET)
GHz
High frequency
GHz
High frequency
Discipline(s) HAL :
Engineering Sciences [physics]
Résumé en anglais : [en]
Carbon nanotube field-effect transistors (CN-FET) with a metallic back gate have been fabricated. By assembling a number of CNs in parallel, driving currents in the mA range have been obtained. The dynamic response of the ...
Lire la suite >Carbon nanotube field-effect transistors (CN-FET) with a metallic back gate have been fabricated. By assembling a number of CNs in parallel, driving currents in the mA range have been obtained. The dynamic response of the CN-FETs has been investigated through S-parameters measurements. A current gain (|H21|2) cut-off frequency (ft) of 8 GHz, and a maximum stable gain (MSG) value of 10 dB at 1 GHz have been obtained. The extraction of an equivalent circuit is proposed.Lire moins >
Lire la suite >Carbon nanotube field-effect transistors (CN-FET) with a metallic back gate have been fabricated. By assembling a number of CNs in parallel, driving currents in the mA range have been obtained. The dynamic response of the CN-FETs has been investigated through S-parameters measurements. A current gain (|H21|2) cut-off frequency (ft) of 8 GHz, and a maximum stable gain (MSG) value of 10 dB at 1 GHz have been obtained. The extraction of an equivalent circuit is proposed.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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