A 310°/3.6dB K-band phaseshifter using ...
Document type :
Article dans une revue scientifique
DOI :
Title :
A 310°/3.6dB K-band phaseshifter using paraelectric BST thin films
Author(s) :
Vélu, Gabriel [Auteur]
Laboratoire d'Etude des Matériaux et des Composants pour l'Electronique [LEMCEL]
Blary, Karine [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Burgnies, Ludovic [Auteur]
Laboratoire d'Etude des Matériaux et des Composants pour l'Electronique [LEMCEL]
Carru, Jean-Claude [Auteur]
Laboratoire d'Etude des Matériaux et des Composants pour l'Electronique [LEMCEL]
Delos, Elisabet [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Marteau, Aurélien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lippens, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Laboratoire d'Etude des Matériaux et des Composants pour l'Electronique [LEMCEL]
Blary, Karine [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Burgnies, Ludovic [Auteur]
Laboratoire d'Etude des Matériaux et des Composants pour l'Electronique [LEMCEL]
Carru, Jean-Claude [Auteur]
Laboratoire d'Etude des Matériaux et des Composants pour l'Electronique [LEMCEL]
Delos, Elisabet [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Marteau, Aurélien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lippens, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
IEEE Microwave and Wireless Components Letters
Pages :
87-89
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
2006
ISSN :
1531-1309
English keyword(s) :
Binary search trees
Transistors
Coplanar waveguides
Capacitors
Frequency
Ferroelectric materials
Atomic force microscopy
Scanning electron microscopy
Sputtering
Dielectric materials
Transistors
Coplanar waveguides
Capacitors
Frequency
Ferroelectric materials
Atomic force microscopy
Scanning electron microscopy
Sputtering
Dielectric materials
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
Ferro- and para-electric BaSrTiO/sub 3/ (/spl epsiv//sub r//spl sim/350 and tg/spl delta//spl sim/5/spl times/10/sup -2/ at 0V) thin films were deposited by low-cost sol-gel techniques. Subsequently, the films were used ...
Show more >Ferro- and para-electric BaSrTiO/sub 3/ (/spl epsiv//sub r//spl sim/350 and tg/spl delta//spl sim/5/spl times/10/sup -2/ at 0V) thin films were deposited by low-cost sol-gel techniques. Subsequently, the films were used for fabricating coplanar waveguide phaseshifters using tunable finger-shaped capacitors. A 310/spl deg/ phaseshift was obtained at 30GHz and 35V of tuning voltage with 3.6dB of insertion loss yielding a figure of merit of 85/spl deg//dB.Show less >
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Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Source :