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A 310°/3.6dB K-band phaseshifter using ...
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Document type :
Article dans une revue scientifique
DOI :
10.1109/LMWC.2005.863198
Title :
A 310°/3.6dB K-band phaseshifter using paraelectric BST thin films
Author(s) :
Vélu, Gabriel [Auteur]
Laboratoire d'Etude des Matériaux et des Composants pour l'Electronique [LEMCEL]
Blary, Karine [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Burgnies, Ludovic [Auteur]
Laboratoire d'Etude des Matériaux et des Composants pour l'Electronique [LEMCEL]
Carru, Jean-Claude [Auteur]
Laboratoire d'Etude des Matériaux et des Composants pour l'Electronique [LEMCEL]
Delos, Elisabet [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Marteau, Aurélien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lippens, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
IEEE Microwave and Wireless Components Letters
Pages :
87-89
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
2006
ISSN :
1531-1309
English keyword(s) :
Binary search trees
Transistors
Coplanar waveguides
Capacitors
Frequency
Ferroelectric materials
Atomic force microscopy
Scanning electron microscopy
Sputtering
Dielectric materials
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
Ferro- and para-electric BaSrTiO/sub 3/ (/spl epsiv//sub r//spl sim/350 and tg/spl delta//spl sim/5/spl times/10/sup -2/ at 0V) thin films were deposited by low-cost sol-gel techniques. Subsequently, the films were used ...
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Ferro- and para-electric BaSrTiO/sub 3/ (/spl epsiv//sub r//spl sim/350 and tg/spl delta//spl sim/5/spl times/10/sup -2/ at 0V) thin films were deposited by low-cost sol-gel techniques. Subsequently, the films were used for fabricating coplanar waveguide phaseshifters using tunable finger-shaped capacitors. A 310/spl deg/ phaseshift was obtained at 30GHz and 35V of tuning voltage with 3.6dB of insertion loss yielding a figure of merit of 85/spl deg//dB.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
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