Unified model of fractal conductance ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Unified model of fractal conductance fluctuations for diffusive and ballistic semiconductor devices
Auteur(s) :
Marlow, Colleen [Auteur]
University of Oregon [Eugene]
Taylor, Richard [Auteur]
University of Oregon [Eugene]
Martin, Theodore P. [Auteur]
University of Oregon [Eugene]
Scannell, B.C. [Auteur]
University of Oregon [Eugene]
Linke, H. [Auteur]
University of Oregon [Eugene]
Fairbanks, M.S. [Auteur]
University of Oregon [Eugene]
Hall, Gavin D.R. [Auteur]
University of Oregon [Eugene]
Shorubalko, Ivan [Auteur]
University of Latvia [LU]
Samuelson, Lars [Auteur]
Skane University Hospital [Lund]
Fromhold, T.M. [Auteur]
University of Nottingham, UK [UON]
Brown, Carl [Auteur]
Hackens, Benoit [Auteur]
Unité de Physico-Chimie et de Physique des Matériaux [UCL PCPM]
Faniel, Sébastien [Auteur]
Unité de Physico-Chimie et de Physique des Matériaux [UCL PCPM]
Gustin, Cédric [Auteur]
Unité de Physico-Chimie et de Physique des Matériaux [UCL PCPM]
Bayot, Vincent [Auteur]
Unité de Physico-Chimie et de Physique des Matériaux [UCL PCPM]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
University of Oregon [Eugene]
Taylor, Richard [Auteur]
University of Oregon [Eugene]
Martin, Theodore P. [Auteur]
University of Oregon [Eugene]
Scannell, B.C. [Auteur]
University of Oregon [Eugene]
Linke, H. [Auteur]
University of Oregon [Eugene]
Fairbanks, M.S. [Auteur]
University of Oregon [Eugene]
Hall, Gavin D.R. [Auteur]
University of Oregon [Eugene]
Shorubalko, Ivan [Auteur]
University of Latvia [LU]
Samuelson, Lars [Auteur]
Skane University Hospital [Lund]
Fromhold, T.M. [Auteur]
University of Nottingham, UK [UON]
Brown, Carl [Auteur]
Hackens, Benoit [Auteur]
Unité de Physico-Chimie et de Physique des Matériaux [UCL PCPM]
Faniel, Sébastien [Auteur]
Unité de Physico-Chimie et de Physique des Matériaux [UCL PCPM]
Gustin, Cédric [Auteur]
Unité de Physico-Chimie et de Physique des Matériaux [UCL PCPM]
Bayot, Vincent [Auteur]
Unité de Physico-Chimie et de Physique des Matériaux [UCL PCPM]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015)
Pagination :
195318-1-7
Éditeur :
American Physical Society
Date de publication :
2006
ISSN :
1098-0121
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
We present an experimental comparison of magnetoconductance fluctuations measured in the ballistic, quasiballistic, and diffusive scattering regimes of semiconductor devices. In contradiction to expectations, we show that ...
Lire la suite >We present an experimental comparison of magnetoconductance fluctuations measured in the ballistic, quasiballistic, and diffusive scattering regimes of semiconductor devices. In contradiction to expectations, we show that the spectral content of the magnetoconductance fluctuations exhibits an identical fractal behavior for these scattering regimes and that this behavior is remarkably insensitive to device boundary properties. We propose a unified model of fractal conductance fluctuations in the ballistic, quasiballistic, and diffusive transport regimes, in which the generic fractal behavior is generated by a subtle interplay between boundary and material-induced chaotic scattering eventsLire moins >
Lire la suite >We present an experimental comparison of magnetoconductance fluctuations measured in the ballistic, quasiballistic, and diffusive scattering regimes of semiconductor devices. In contradiction to expectations, we show that the spectral content of the magnetoconductance fluctuations exhibits an identical fractal behavior for these scattering regimes and that this behavior is remarkably insensitive to device boundary properties. We propose a unified model of fractal conductance fluctuations in the ballistic, quasiballistic, and diffusive transport regimes, in which the generic fractal behavior is generated by a subtle interplay between boundary and material-induced chaotic scattering eventsLire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :