High power and linearity performances of ...
Type de document :
Article dans une revue scientifique
Titre :
High power and linearity performances of gallium nitride HEMT devices on sapphire substrate
Auteur(s) :
Werquin, M. [Auteur]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Guhel, Y. [Auteur]
Vellas, N. [Auteur]
Boudart, B. [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
Germain, Marie [Auteur]
de Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Guhel, Y. [Auteur]
Vellas, N. [Auteur]
Boudart, B. [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
Germain, Marie [Auteur]
de Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Titre de la revue :
Electronics Letters
Pagination :
46-47
Éditeur :
IET
Date de publication :
2005
ISSN :
0013-5194
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :