Acceptor states in GaAs studied by X-STS at 5K
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Acceptor states in GaAs studied by X-STS at 5K
Author(s) :
Grandidier, Bruno [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mahieu, G. [Auteur]
Deresmes, D. [Auteur]
Nys, J.P. [Auteur]
Stievenard, D. [Auteur]
Ebert, P. [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mahieu, G. [Auteur]
Deresmes, D. [Auteur]
Nys, J.P. [Auteur]
Stievenard, D. [Auteur]
Ebert, P. [Auteur]
Conference title :
13th International Conference on Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Related Techniques, STM'05
City :
Sapporo
Country :
Japon
Start date of the conference :
2005
Publication date :
2005
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :