Direct evidence for shallow acceptor states ...

Document type :
Article dans une revue scientifique
DOI :
10.1103/PhysRevLett.94.026407
Title :
Direct evidence for shallow acceptor states with nonspherical symmetry in GaAs
Author(s) :
Mahieu, G. [Auteur]
Grandidier, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nys, J.-P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stievenard, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ebert, P. [Auteur]
Journal title :
Physical Review Letters
Pages :
26407-1-4
Publisher :
American Physical Society
Publication date :
2005
ISSN :
0031-9007
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
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