Titre :

High frequency low noise potentialities of down to 65nm technology nodes MOSFETs

Auteur(s) :

Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gloria, Daniel [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Scheerer, Patrick [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Raynaud, Christine [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Danneville, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
lepilliet, sl [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Siligaris, Alexandre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pailloncy, Guillaume [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Martineau, Baudouin [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bouhana, Emmanuel [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Valentin, Raphael [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

European Gallium Arsenide and Other Semiconductor Application Symposium, GAAS 2005

Ville :

Paris

Pays :

France

Date de début de la manifestation scientifique :

2005-10-03

Titre de l’ouvrage :

Proceedings of the 13th European Gallium Arsenide and other Compound Semiconductors Application Symposium, GAAS 2005

Éditeur :

IEEE, Piscataway, NJ, USA

Date de publication :

2005

Mot(s)-clé(s) en anglais :

CMOS technology
MOSFET circuits
Millimeter wave technology
Transconductance
Calibration
Cutoff frequency
Microwave technology
Microelectronics

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

65 nm n-MOSFETs show state-of-the-art cut-off frequency with f t = 210 GHz and microwave low noise and high gain properties (NF min = 0.8 dB and G ass = 17.3 dB at 12 GHz). As compared with the previous nodes, the high ...
Lire la suite >65 nm n-MOSFETs show state-of-the-art cut-off frequency with f t = 210 GHz and microwave low noise and high gain properties (NF min = 0.8 dB and G ass = 17.3 dB at 12 GHz). As compared with the previous nodes, the high frequency properties of these MOSFETs continue to be in agreement with the downscaling trends.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL