Titre :

Voltage tunable terahertz emission from a ballistic nanometer InGaAs/InAlAs transistor

Auteur(s) :

Lusakowski, J. [Auteur]
Knap, W. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Dyakonova, N. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Varani, L. [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Mateos, J. [Auteur]
Gonzales, T. [Auteur]
Roelens, Yannick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Karpierz, K. [Auteur]

Titre de la revue :

Journal of Applied Physics

Pagination :

64307-1-7

Éditeur :

American Institute of Physics

Date de publication :

2005

ISSN :

0021-8979

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL