Titre :

Tunable plasma wave resonant detection of optical beating in high electron mobility transistor

Auteur(s) :

Torres, Jérémi [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Nouvel, P. [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Akwoue-Ondo, A. [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Teppe, F. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Shchepetov, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Applied Physics Letters

Pagination :

201101.1-201101.3

Éditeur :

American Institute of Physics

Date de publication :

2006

ISSN :

0003-6951

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]/Physique [physics]/Optique [physics.optics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Plasmas

Résumé en anglais : [en]

We report on tunable terahertz resonant detection of two 1.55 µm cw-lasers beating by plasma waves in AlGaAs/InGaAs/InP high-electron-mobility transistor. We show that the fundamental plasma resonant frequency and its odd ...
Lire la suite >We report on tunable terahertz resonant detection of two 1.55 µm cw-lasers beating by plasma waves in AlGaAs/InGaAs/InP high-electron-mobility transistor. We show that the fundamental plasma resonant frequency and its odd harmonics can be tuned with the applied gate-voltage in the range 75–490 GHz. The observed frequency dependence on gate-bias is found to be in good agreement with the theoretical plasma waves dispersion law.Lire moins >

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL