Title :

Why do (2x4) GaAs and InAs (001) surfaces exposed to phosphorus have so different strain behavior ?

Author(s) :

Wallart, X. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Priester, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deresmes, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gehin, T. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mollot, F. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

Applied Physics Letters

Pages :

1060-1062

Publisher :

American Institute of Physics

Publication date :

2002

ISSN :

0003-6951

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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