GaAs monolithic transferred-electron devices ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
GaAs monolithic transferred-electron devices for millimeter waves applications
Auteur(s) :
Rolland, Paul-Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Friscourt, Marie-Renée [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Friscourt, Marie-Renée [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
IEEE Microwave Theory and Technique Symposium
Ville :
Saint-Louis, Missouri
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
1985-12-12
Éditeur :
427-430
Date de publication :
1985
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
The authors point out the existence of two different operating modes in a planar GaAs transferred-electron oscillator with a current limiting MESFET cathode. The respective advantages and drawbacks of these two modes are ...
Lire la suite >The authors point out the existence of two different operating modes in a planar GaAs transferred-electron oscillator with a current limiting MESFET cathode. The respective advantages and drawbacks of these two modes are discussed on the basis of further monolithic integration. The influence of the operating conditions on the RF performance are given in the 100 GHz window.Lire moins >
Lire la suite >The authors point out the existence of two different operating modes in a planar GaAs transferred-electron oscillator with a current limiting MESFET cathode. The respective advantages and drawbacks of these two modes are discussed on the basis of further monolithic integration. The influence of the operating conditions on the RF performance are given in the 100 GHz window.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :