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Metal/organic/metal bistable memory devices
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Document type :
Pré-publication ou Document de travail
Title :
Metal/organic/metal bistable memory devices
Author(s) :
Vuillaume, Dominique [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lmimouni, Kamal [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Tondelier, Denis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Fery, Christophe [Auteur]
Thomson Multimedia R&D France
Haas, Gunther [Auteur]
Thomson Multimedia R&D France
HAL domain(s) :
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
English abstract : [en]
We report a bistable organic memory made of a single organic layer embedded between two electrodes, we compare to the organic/metal nanoparticle/organic tri-layers device [L.P. Ma, J. Liu, and Y. Yang, Appl. Phys. Lett. ...
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We report a bistable organic memory made of a single organic layer embedded between two electrodes, we compare to the organic/metal nanoparticle/organic tri-layers device [L.P. Ma, J. Liu, and Y. Yang, Appl. Phys. Lett. 80, 2997 (2002)]. We demonstrate that the two devices exhibit similar temperature-dependent behaviors, a thermally-activated behavior in their low conductive state (off-state) and a slightly "metallic" behavior in their high conductive state (on-state). This feature emphasizes a similar origin for the memory effect. Owing to their similar behavior, the one layer memory is advantageous in terms of fabrication cost and simplicity.Show less >
Language :
Anglais
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
Files
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  • https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00002988/document
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  • http://arxiv.org/pdf/cond-mat/0409758
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