Titre :

Molecular rectifying diodes from self-assembly on silicon

Auteur(s) :

Lenfant, Stephane [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Krzeminski, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delerue, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Allan, Guy [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vuillaume, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Mot(s)-clé(s) en anglais :

self-assembled monolayer
molecular diode
molecular electronics
nanoelectronics

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Autre [cond-mat.other]

Résumé en anglais : [en]

We demonstrate a molecular rectifying junction made from a sequential self-assembly on silicon. The device structure consists of only one conjugated (p) group and an alkyl spacer chain. We obtain rectification ratios up ...
Lire la suite >We demonstrate a molecular rectifying junction made from a sequential self-assembly on silicon. The device structure consists of only one conjugated (p) group and an alkyl spacer chain. We obtain rectification ratios up to 37 and threshold voltages for rectification between -0.3V and -0.9V. We show that rectification occurs from resonance through the highest occupied molecular orbital of the p-group in good agreement with our calculations and internal photoemission spectroscopy. This approach allows us to fabricate molecular rectifying diodes compatible with silicon nanotechnologies for future hybrid circuitries.Lire moins >

Langue :

Anglais

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL