Millimeter-wave high power GaN transistors: the race for better efficiency

[Invited]

Document type :

Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes: Conférence invitée

Title :

Millimeter-wave high power GaN transistors: the race for better efficiency
[Invited]

Author(s) :

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Conference title :

Millimeter-wave high power GaN transistors: the race for better efficiency

City :

Turin

Country :

Italie

Start date of the conference :

2017-05-19

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

Source :