Millimeter-wave high power GaN transistors: the race for better efficiency

[Invited]

Type de document :

Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes: Conférence invitée

Titre :

Millimeter-wave high power GaN transistors: the race for better efficiency
[Invited]

Auteur(s) :

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

Millimeter-wave high power GaN transistors: the race for better efficiency

Ville :

Turin

Pays :

Italie

Date de début de la manifestation scientifique :

2017-05-19

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

Source :