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Towards the ultimate goal of AlN-based ...
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Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Towards the ultimate goal of AlN-based HEMTs grown on silicon substrates
Author(s) :
Rennesson, Stephanie [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Semond, Fabrice [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Nemoz, Maud [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Massies, Jean [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Chenot, Sebastien [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Largeau, Ludovic [Auteur]
Laboratoire de photonique et de nanostructures [LPN]
Dogmus, E [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Malek, Zegaoui [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
Compound Semiconductor Week 2017
City :
Berlin
Country :
Allemagne
Start date of the conference :
2017-05-14
Journal title :
CSW2017
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
English abstract : [en]
Using NH3-MBE, AlN-based HEMTs on silicon are demonstrated for the first time. Ultra-thin heterostructures typically consist of 200 nm-thick AlN buffer, followed by 20 nm-thick strained GaN channel, 3-10 nm-thick AlN ...
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Using NH3-MBE, AlN-based HEMTs on silicon are demonstrated for the first time. Ultra-thin heterostructures typically consist of 200 nm-thick AlN buffer, followed by 20 nm-thick strained GaN channel, 3-10 nm-thick AlN barrier. 2DEG densities (Ns) are measured as a function of AlN barrier thicknesses. Value as high as 2.7x10 13 cm-2 is measured before passivation. Ns increases improving the material quality and using SiN passivation. In-situ SiN passivation using NH3-MBE is presented for the first time. State-of-the-art mobility values above 600 cm²/Vs are measured and recent improvements are ongoing to lower the sheet resistance as required for high-frequency applications.Show less >
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
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