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Carrier generation and recombination ...
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Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Carrier generation and recombination dynamics and reliability of InGaN-based photodetectors for high power densities
Author(s) :
de Santi, C [Auteur]
Università degli Studi di Padova = University of Padua [Unipd]
Meneghini, M [Auteur]
Università degli Studi di Padova = University of Padua [Unipd]
Caria, A [Auteur]
Università degli Studi di Padova = University of Padua [Unipd]
Dogmus, Ezgi [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Meneghesso, G [Auteur]
Università degli Studi di Padova = University of Padua [Unipd]
Zanoni, E [Auteur]
Università degli Studi di Padova = University of Padua [Unipd]
Conference title :
12th International Conference on Nitride Semiconductors 2017 (ICNS-12)
City :
Strasbourg
Country :
France
Start date of the conference :
2017-07-24
Journal title :
ICNS-12
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
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