Title :

Carrier generation and recombination dynamics and reliability of InGaN-based photodetectors for high power densities

Author(s) :

de Santi, C [Auteur]
Università degli Studi di Padova = University of Padua [Unipd]
Meneghini, M [Auteur]
Università degli Studi di Padova = University of Padua [Unipd]
Caria, A [Auteur]
Università degli Studi di Padova = University of Padua [Unipd]
Dogmus, Ezgi [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Meneghesso, G [Auteur]
Università degli Studi di Padova = University of Padua [Unipd]
Zanoni, E [Auteur]
Università degli Studi di Padova = University of Padua [Unipd]

Conference title :

12th International Conference on Nitride Semiconductors 2017 (ICNS-12)

City :

Strasbourg

Country :

France

Start date of the conference :

2017-07-24

Journal title :

ICNS-12

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL