Graphene field effect transistors with ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/DRC.2017.7999420
Titre :
Graphene field effect transistors with optimized contact resistance for current gain
Auteur(s) :
Wei, W. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Fazio, D. D. [Auteur]
Sassi, U. [Auteur]
Ferrari, A. C. [Auteur]
Pallecchi, Emiliano [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
75th Annual Device Research Conference, DRC 2017
Ville :
South Bend, IN, USA
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2017-06-25
Titre de l’ouvrage :
2017 75th Annual Device Research Conference (DRC)
Éditeur :
IEEE
Date de publication :
2017
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL