AlGaN/GaN HEMT's photoresponse to high ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
AlGaN/GaN HEMT's photoresponse to high intensity THz radiation
Auteur(s) :
Diakonova, Nina [Auteur]
Laboratoire Charles Coulomb [L2C]
But, Dmytro [Auteur]
Laboratoire Charles Coulomb [L2C]
Coquillat, Dominique [Auteur]
Laboratoire Charles Coulomb [L2C]
Knap, Wojciech [Auteur]
Laboratoire Charles Coulomb [L2C]
Drexler, C. [Auteur]
Olbrich, P. [Auteur]
Karch, J. [Auteur]
Schafberger, M. [Auteur]
Ganichev, S. D. [Auteur]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Poisson, M. -A. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Cywinski, G. [Auteur]
Skierbiszewski, C. [Auteur]
Laboratoire Charles Coulomb [L2C]
But, Dmytro [Auteur]
Laboratoire Charles Coulomb [L2C]
Coquillat, Dominique [Auteur]
Laboratoire Charles Coulomb [L2C]
Knap, Wojciech [Auteur]
Laboratoire Charles Coulomb [L2C]
Drexler, C. [Auteur]
Olbrich, P. [Auteur]
Karch, J. [Auteur]
Schafberger, M. [Auteur]
Ganichev, S. D. [Auteur]
Ducournau, Guillaume [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Poisson, M. -A. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Cywinski, G. [Auteur]
Skierbiszewski, C. [Auteur]
Titre de la revue :
Opto-Electronics Review
Pagination :
195-199
Éditeur :
Springer Verlag (Germany)
Springer Verlag
Springer Verlag
Date de publication :
2015-09
ISSN :
1230-3402
Mot(s)-clé(s) en anglais :
terahertz
photoresponse
HEMT
ALGaN/GaN
photoresponse
HEMT
ALGaN/GaN
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]/Physique [physics]/Physique Générale [physics.gen-ph]
Résumé en anglais : [en]
We report on the photoresponse dependence on the terahertz radiation intensity in ALGaN/GaN HEMTs. We show that the ALGaN/GaN HEMT can be used as a THz detector in CW and in pulsed regime up to radiation intensity of several ...
Lire la suite >We report on the photoresponse dependence on the terahertz radiation intensity in ALGaN/GaN HEMTs. We show that the ALGaN/GaN HEMT can be used as a THz detector in CW and in pulsed regime up to radiation intensity of several kW/cm2. The dynamic range in the pulsed regime of detection can be more than 2 decades. We observed that the photoresponse of the HEMT could have a compound composition if two independent parts of the transistor are involved in the detection process; this result indicates that a more simple one channel device may be preferable on the detection purpose.Lire moins >
Lire la suite >We report on the photoresponse dependence on the terahertz radiation intensity in ALGaN/GaN HEMTs. We show that the ALGaN/GaN HEMT can be used as a THz detector in CW and in pulsed regime up to radiation intensity of several kW/cm2. The dynamic range in the pulsed regime of detection can be more than 2 decades. We observed that the photoresponse of the HEMT could have a compound composition if two independent parts of the transistor are involved in the detection process; this result indicates that a more simple one channel device may be preferable on the detection purpose.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
- oere-2015-0026.xml
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