Titre :

Towards amplifier design with a SiC graphene field-effect transistor

Auteur(s) :

Aguirre-Morales, Jorgue Daniel [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Frégonèse, Sébastien [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Dwivedi, Arun Dev Dhar [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Zimmer, Thomas [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Khenissa, Mohamed Salah [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Belhaj, Mohamed Moez [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
Carbon - IEMN [CARBON - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2015 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on

Ville :

Bologna

Pays :

Italie

Date de début de la manifestation scientifique :

2015-01-26

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Graphene
Integrated circuit modeling
Silicon carbide
Probes
Gain
Frequency measurement
Scattering parameters

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Résumé en anglais : [en]

A power amplifier is implemented using a SiC Graphene Field-Effect Transistor. The amplifier gain is enhanced using an input matching LC circuit, which is connected to the GFET through standard RF probes. Experimental ...
Lire la suite >A power amplifier is implemented using a SiC Graphene Field-Effect Transistor. The amplifier gain is enhanced using an input matching LC circuit, which is connected to the GFET through standard RF probes. Experimental measurements and ADS-simulation based on developed models are used for the evaluation of the performances of the SiC GFET-based amplifier. It has been shown that a power gain of 4.8 dB can be achieved at 2.4 GHz using the GFET and the matching circuit assembly. Technology parameters are studied towards the improvement of the amplifier's figures of merit.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL