Title :

Residual stress relaxation in GaN/Sapphire circular pillars measured by Raman scattering spectroscopy

Author(s) :

Margueron, S.H. [Auteur]
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes [LMOPS]
Bourson, P. [Auteur]
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes [LMOPS]
Gautier, S. [Auteur]
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes [LMOPS]
Soltani, A. [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Troadec, david [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
de Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Sirenko, A.A. [Auteur]
Ougazzaden, A. [Auteur]

Journal title :

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH

Pages :

5321-5326

Publisher :

Elsevier

Publication date :

2008-12-01

ISSN :

0022-0248

HAL domain(s) :

Physique [physics]/Physique [physics]/Optique [physics.optics]

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL