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Residual stress relaxation in GaN/Sapphire ...
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Document type :
Article dans une revue scientifique
DOI :
10.1016/j.jcrysgro.2008.09.145
Title :
Residual stress relaxation in GaN/Sapphire circular pillars measured by Raman scattering spectroscopy
Author(s) :
Margueron, S.H. [Auteur]
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes [LMOPS]
Bourson, P. [Auteur]
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes [LMOPS]
Gautier, S. [Auteur]
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes [LMOPS]
Soltani, A. [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Troadec, david [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
de Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Sirenko, A.A. [Auteur]
Ougazzaden, A. [Auteur]
Journal title :
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH
Pages :
5321-5326
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2008-12-01
ISSN :
0022-0248
HAL domain(s) :
Physique [physics]/Physique [physics]/Optique [physics.optics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
Files
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