75 nm gate length PHEMT with f max = 800 ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
75 nm gate length PHEMT with f max = 800 GHz using asymmetric gate recess: RF and noise investigation
Auteur(s) :
Samnouni, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
lepilliet, sl [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Coinon, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
lepilliet, sl [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Titre de la revue :
IEEE Transactions on Electron Devices
Pagination :
4289-4295
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2021-09
ISSN :
0018-9383
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Asymmetric gate recess
high-electron mobility transistor (HEMT)
noise figure (NF)
small-signal equivalent circuit (SSEC)
high-electron mobility transistor (HEMT)
noise figure (NF)
small-signal equivalent circuit (SSEC)
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
We report a high maximum frequency of oscillation (f max) and a current-gain cutoff frequency (f T) of 800 and 260 GHz, respectively, with pseudomorphic high-electron mobility transistor (PHEMT), using an InGaAs/InAs ...
Lire la suite >We report a high maximum frequency of oscillation (f max) and a current-gain cutoff frequency (f T) of 800 and 260 GHz, respectively, with pseudomorphic high-electron mobility transistor (PHEMT), using an InGaAs/InAs composite channel and an asymmetric gate recess. This result was achieved with long gate length L G = 75 nm. The RF small signal equivalent circuit (SSEC) was extracted up to 110 GHz. Moreover, noise parameters extraction gives a minimum noise figure (NF min ) of 0.8 dB (with associated gain G ass = 16 dB) and 1.8 dB (with associated gain G ass = 11.6 dB) at 40 and 94 GHz, respectively. In this study, the gate leakage current was considered in the SSEC of the transistor ( g gf and g df ) and for extraction of the noise parameters.Lire moins >
Lire la suite >We report a high maximum frequency of oscillation (f max) and a current-gain cutoff frequency (f T) of 800 and 260 GHz, respectively, with pseudomorphic high-electron mobility transistor (PHEMT), using an InGaAs/InAs composite channel and an asymmetric gate recess. This result was achieved with long gate length L G = 75 nm. The RF small signal equivalent circuit (SSEC) was extracted up to 110 GHz. Moreover, noise parameters extraction gives a minimum noise figure (NF min ) of 0.8 dB (with associated gain G ass = 16 dB) and 1.8 dB (with associated gain G ass = 11.6 dB) at 40 and 94 GHz, respectively. In this study, the gate leakage current was considered in the SSEC of the transistor ( g gf and g df ) and for extraction of the noise parameters.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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