Titre :

An advanced ageing methodology for robustness assessment of normally-off AlGaN/GaN HEMT

Auteur(s) :

Albany, F. [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Curutchet, A. [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Labat, N. [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Lecourt, F. [Auteur]
OMMIC
Walasiak, E. [Auteur]
OMMIC
Maher, H. [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] [LN2]
Université de Sherbrooke [UdeS]
Cordier, Y. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Malbert, N. [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]

Titre de la manifestation scientifique :

15th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2020

Ville :

Utrecht

Pays :

Pays-Bas

Date de début de la manifestation scientifique :

2021-01-11

Éditeur :

Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.

Date de publication :

2021

Mot(s)-clé(s) en anglais :

AlGaN/GaN HEMT
fluorine implant
normally-off
reliability
step-stress methodology

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

The semi-on-state reliability of normally-off AlGaN/GaN high electron mobility transistor fabricated by fluorine ion plasma implantation technology is reported, focusing on an advanced dc step-stress methodology. By inserting ...
Lire la suite >The semi-on-state reliability of normally-off AlGaN/GaN high electron mobility transistor fabricated by fluorine ion plasma implantation technology is reported, focusing on an advanced dc step-stress methodology. By inserting a non-stressful fixed-bias step between each stress step, a reliable in-situ monitoring of gate and drain current degradations can be achieved without the use of conventional I-V interim measurements. A negative shift of the threshold voltage leading to an increase of the drain current is observed after the stress sequence carried out in semi-on-state regime. Currents monitoring during non-stressful steps reveal no permanent degradation up to stress step at VDS ˜ 19.5V and a self-healing mechanism occurring during non-stressful steps. By avoiding intermediate I-V control measurements after each stress step, this methodology provides a safe in-situ monitoring of degradations.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Co-intégration des transistors GaN à enrichissement et à déplétion pour les circuits de communication RF de la prochaine génération
Réseau national sur GaN

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL