Titre :

Lead-free piezoelectric thin films for RoHS devices

Auteur(s) :

Fasquelle, Didier [Auteur]
Unité de Dynamique et Structure des Matériaux Moléculaires [UDSMM]
Mascot, Manuel [Auteur]
Unité de Dynamique et Structure des Matériaux Moléculaires [UDSMM]
Sama, N. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Remiens, Denis [Auteur]
Matériaux et Acoustiques pour MIcro et NAno systèmes intégrés - IEMN [MAMINA - IEMN]
Carru, Jean-Claude [Auteur]
Unité de Dynamique et Structure des Matériaux Moléculaires [UDSMM]

Titre de la revue :

Sensors and Actuators A: Physical

Pagination :

30-35

Éditeur :

Elsevier

Date de publication :

2015-06-15

ISSN :

0924-4247

Mot(s)-clé(s) en anglais :

BST
BTS
Piezoelectric
Sol-gel
Thin films

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Matériaux
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Résumé en anglais : [en]

This paper reports a study of Ba0.9Sr0.1TiO3 and BaTi0.98Sn0.02O3 thin films elaborated by a sol-gel route and deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates. These films were annealed at 950 C and exhibited a polycrystalline ...
Lire la suite >This paper reports a study of Ba0.9Sr0.1TiO3 and BaTi0.98Sn0.02O3 thin films elaborated by a sol-gel route and deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates. These films were annealed at 950 C and exhibited a polycrystalline structure. The AFM analysis revealed an important difference in the microstructure of the BST and BTS films. Our BTS film showed no significant piezoelectric properties as its coefficients were d33 = 5 pC/N and 4 pm/V for the direct and reverse measurements. Under our optimized annealing conditions, we gave the evidence that ferroelectric Ba0.9Sr0.1TiO3 could be a good candidate to replace PZT in RoHS microelectronic devices, therefore for green applications where lead must be prohibited, and that, despite the factor 2 or 3 between coefficients measured on PZT and lead-free films.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL