[Invited] Size reduction of InGaN/GaN based ...

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes: Conférence invitée
Title :
[Invited] Size reduction of InGaN/GaN based led devices as a major challenge for boosting light fidelity frequency bandwidth
Author(s) :
Alshehri, Bandar [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Dogheche, Karim [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Dogheche, El Hadj [Auteur] refId
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Conference title :
10th International Conference on Materials for Advanced Technologies, ICMAT 2019
City :
Marina Bay Sands
Country :
Singapour
Start date of the conference :
2019-06-23
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Optique / photonique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Acoustique [physics.class-ph]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL