Titre :

Quantum Dot Acceptors in Two-Dimensional Epitaxially Fused PbSe Quantum Dot Superlattices

Auteur(s) :

Notot, Vincent [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Walravens, Willem [Auteur]
Universiteit Gent = Ghent University = Université de Gand [UGENT]
Berthe, Maxime [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Peric, Nemanja [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Addad, Ahmed [Auteur]
Unité Matériaux et Transformations - UMR 8207 [UMET]
Wallart, Xavier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Delerue, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Hens, Zeger [Auteur]
Universiteit Gent = Ghent University = Université de Gand [UGENT]
Grandidier, Bruno [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Biadala, Louis [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]

Titre de la revue :

ACS Nano

Pagination :

3081–3091

Éditeur :

American Chemical Society

Date de publication :

2022-02-22

ISSN :

1936-0851

Mot(s)-clé(s) en anglais :

nanocrystal assemblies
quantum dot superlattice
electronic coupling
doping
defects
scanning tunneling microscopy

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]

Résumé en anglais : [en]

Oriented attachment of colloidal quantum dots allows the growth of two-dimensional crystals by design, which could have striking electronic properties upon progress on manipulating their conductivity. Here, we explore the ...
Lire la suite >Oriented attachment of colloidal quantum dots allows the growth of two-dimensional crystals by design, which could have striking electronic properties upon progress on manipulating their conductivity. Here, we explore the origin of doping in square and epitaxially fused PbSe quantum dot superlattices with low-temperature scanning tunneling microscopy and spectroscopy. Probing the density of states of numerous individual quantum dots reveals an electronic coupling between the hole ground states of the quantum dots. Moreover, a small amount of quantum dots shows a reproducible deep level in the band gap, which is not caused by structural defects in the connections but arises from unpassivated sites at the {111} facets. Based on semiconductor statistics, these distinct defective quantum dots, randomly distributed in the superlattice, trap electrons, releasing a concentration of free holes, which is intimately related to the interdot electronic coupling. They act as acceptor quantum dots in the host quantum dot lattice, mimicking the role of dopant atoms in a semiconductor crystal.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Propriétés électronique et optique de puits quantiques colloidaux à l'échelle individuelle
Centre expérimental pour l'étude des propriétés des nanodispositifs dans un large spectre du DC au moyen Infra-rouge.

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL