Influence of the gate leakage current on ...

Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1016/0038-1101(95)98678-V
Title :
Influence of the gate leakage current on the noise performance of MESFETs and MODFETs
Author(s) :
Danneville, François [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dambrine, Gilles [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Tadyszak, Patrick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cappy, Alain [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Solid-State Electronics
Pages :
1081-1087
Publisher :
Elsevier
Publication date :
1995-05
ISSN :
0038-1101
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
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