Insertion of an Ultra‐thin Interfacial ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Insertion of an Ultra‐thin Interfacial Aluminium Layer for the Realisation of a Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric Tunnel Junction.
Auteur(s) :
Manchon, Benoît [Auteur]
INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures [INL - MFN]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] [LN2]
Segantini, Greta [Auteur]
Royal Melbourne Institute of Technology University [RMIT University]
INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures [INL - MFN]
Baboux, Nicolas [Auteur]
INL - Dispositifs Electroniques [INL - DE]
Rojo Romeo, Pedro [Auteur]
INL - Ingénierie et conversion de lumière (i-Lum) [INL - I-Lum]
Barhoumi, Rabei [Auteur]
INL - Dispositifs Electroniques [INL - DE]
Drouin, Dominique [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] [LN2]
Ingrid C., Infante [Auteur]
INL - Dispositifs Electroniques [INL - DE]
Alibart, Fabien [Auteur]
Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Vilquin, Bertrand [Auteur]
INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures [INL - MFN]
Deleruyelle, Damien [Auteur]
INL - Dispositifs Electroniques [INL - DE]
INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures [INL - MFN]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] [LN2]
Segantini, Greta [Auteur]
Royal Melbourne Institute of Technology University [RMIT University]
INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures [INL - MFN]
Baboux, Nicolas [Auteur]
INL - Dispositifs Electroniques [INL - DE]
Rojo Romeo, Pedro [Auteur]
INL - Ingénierie et conversion de lumière (i-Lum) [INL - I-Lum]
Barhoumi, Rabei [Auteur]
INL - Dispositifs Electroniques [INL - DE]
Drouin, Dominique [Auteur]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes [Sherbrooke] [LN2]
Ingrid C., Infante [Auteur]
INL - Dispositifs Electroniques [INL - DE]
Alibart, Fabien [Auteur]
Nanostructures, nanoComponents & Molecules - IEMN [NCM - IEMN]
Vilquin, Bertrand [Auteur]
INL - Matériaux Fonctionnels et Nanostructures [INL - MFN]
Deleruyelle, Damien [Auteur]
INL - Dispositifs Electroniques [INL - DE]
Titre de la revue :
physica status solidi (RRL) - Rapid Research Letters
Pagination :
2100585
Éditeur :
Wiley-VCH Verlag
Date de publication :
2022-10
ISSN :
1862-6254
Mot(s)-clé(s) en anglais :
aluminum
ferroelectric HZO
ferroelectric tunnel junction
thin films
ferroelectric HZO
ferroelectric tunnel junction
thin films
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Résumé en anglais : [en]
Herein, the effect of a 2 nm thin aluminum layer inserted between the ferroelectric layer and the top electrode in a TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN stack deposited by reactive magnetron sputtering is investigated. The oxidation of ...
Lire la suite >Herein, the effect of a 2 nm thin aluminum layer inserted between the ferroelectric layer and the top electrode in a TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN stack deposited by reactive magnetron sputtering is investigated. The oxidation of the interfacial layer during annealing due to scavenging of the Hf0.5Zr0.5O2 impacts both the ferroelectric properties and the electrical conductivity of the junction. It is shown that the overall conductivity of the junction is boosted 20 folds while the resistance ratio between the positive and negative polarization states is increased from 1.3 up to 3.7. Through a systematic analysis of programming conditions, pulse duration, and height, we show that both the remanent polarization and On/Off current ratio can be enhanced at the expanse of the endurance leading to a trade-off.Lire moins >
Lire la suite >Herein, the effect of a 2 nm thin aluminum layer inserted between the ferroelectric layer and the top electrode in a TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN stack deposited by reactive magnetron sputtering is investigated. The oxidation of the interfacial layer during annealing due to scavenging of the Hf0.5Zr0.5O2 impacts both the ferroelectric properties and the electrical conductivity of the junction. It is shown that the overall conductivity of the junction is boosted 20 folds while the resistance ratio between the positive and negative polarization states is increased from 1.3 up to 3.7. Through a systematic analysis of programming conditions, pulse duration, and height, we show that both the remanent polarization and On/Off current ratio can be enhanced at the expanse of the endurance leading to a trade-off.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Projet Européen :
Source :
Fichiers
- https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-03609773/document
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